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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
16.8
17.3
写入速度,GB/s
10.8
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
3299
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMTS16GM4800A40T2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
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