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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
27
读取速度,GB/s
16.8
15.3
写入速度,GB/s
10.8
11.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
2545
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
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