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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
34
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
21
读取速度,GB/s
16.8
18.5
写入速度,GB/s
11.3
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2930
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
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