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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.8
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
18.2
17.4
写入速度,GB/s
11.5
14.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3048
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
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Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
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