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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.9
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
18.2
17.3
写入速度,GB/s
11.5
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3432
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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