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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
18.2
15.9
写入速度,GB/s
11.5
12.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2952
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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