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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.1
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
18.2
16.0
写入速度,GB/s
11.5
12.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3082
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
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