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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
27
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
27
读取速度,GB/s
17.4
17.7
写入速度,GB/s
12.2
15.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3798
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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