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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
29
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
29
读取速度,GB/s
17.4
19.2
写入速度,GB/s
12.2
15.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3400
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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