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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
31
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
31
读取速度,GB/s
17.4
16.8
写入速度,GB/s
12.2
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3154
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 64T256800EU2.OC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
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Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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