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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
58
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
24
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
58
读取速度,GB/s
24.0
9.7
写入速度,GB/s
20.0
7.5
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
4156
2172
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
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