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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
4,577.1
21.6
写入速度,GB/s
2,066.5
15.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3684
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
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