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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
62
左右 -148% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
25
读取速度,GB/s
3,556.6
15.9
写入速度,GB/s
1,843.6
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3023
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB RAM的比较
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
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