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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
62
左右 -170% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
23
读取速度,GB/s
3,556.6
17.9
写入速度,GB/s
1,843.6
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3356
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
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