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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
62
左右 -72% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
36
读取速度,GB/s
3,556.6
15.8
写入速度,GB/s
1,843.6
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
2417
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
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Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
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