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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
60
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
60
读取速度,GB/s
16.7
6.4
写入速度,GB/s
11.8
4.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
1400
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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