Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB

总分
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    27 left arrow 28
    左右 4% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.7 left arrow 14.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    11.8 left arrow 10.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 17000
    左右 1.25% 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    27 left arrow 28
  • 读取速度,GB/s
    16.7 left arrow 14.2
  • 写入速度,GB/s
    11.8 left arrow 10.8
  • 内存带宽,mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2756 left arrow 2527
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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