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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
总分
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
32
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
32
读取速度,GB/s
16.0
15.6
写入速度,GB/s
12.5
10.9
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2925
2822
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM的比较
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
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