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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
总分
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
10.1
14.5
写入速度,GB/s
6.2
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2620
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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