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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
比较
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
总分
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
20.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,892.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
6,181.5
20.6
写入速度,GB/s
1,892.9
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
851
3593
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
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