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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
比较
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,892.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
6,181.5
16.2
写入速度,GB/s
1,892.9
12.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
851
3084
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
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