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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
56
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
8800
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
27
读取速度,GB/s
4,878.3
20.6
写入速度,GB/s
2,475.5
18.4
内存带宽,mbps
8800
21300
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
3826
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
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