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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
75
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
75
读取速度,GB/s
13.0
15.6
写入速度,GB/s
8.0
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
1717
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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