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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Kingston 9905713-004.A00G 4GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
66
左右 59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
66
读取速度,GB/s
13.0
14.5
写入速度,GB/s
8.0
6.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
1473
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
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