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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
总分
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
总分
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
77
读取速度,GB/s
13.9
13.6
写入速度,GB/s
8.9
5.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2418
1267
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
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