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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
34
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
34
读取速度,GB/s
17.7
14.5
写入速度,GB/s
13.1
10.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2337
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
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