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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
总分
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.0
17.1
写入速度,GB/s
9.0
11.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2903
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
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