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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
总分
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
总分
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
12.8
15.7
写入速度,GB/s
8.6
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2239
2631
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB RAM的比较
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Kingston 9905625-076.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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