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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.2
18.3
写入速度,GB/s
8.4
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
3721
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
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