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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

总分
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

总分
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB 需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 34
    左右 26% 更低的延时
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB 需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.4 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.1 left arrow 8.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 16.4
  • 写入速度，GB/s
    8.3 left arrow 12.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1896 left arrow 2616

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