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Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
比较
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
总分
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
14.6
17.8
写入速度,GB/s
7.8
15.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2207
3699
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
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Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
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