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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
比较
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
总分
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
14.2
15.8
写入速度,GB/s
8.5
13.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2277
2640
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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