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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
比较
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
总分
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
52
左右 50% 更低的延时
需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.5
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
52
读取速度,GB/s
14.2
20.5
写入速度,GB/s
8.5
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2277
2472
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-014.A00G 4GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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