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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
比较
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
总分
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
总分
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
40
读取速度,GB/s
9.1
13.7
写入速度,GB/s
9.9
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2279
2411
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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