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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.2
18.0
写入速度,GB/s
8.6
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3049
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
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