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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
49
读取速度,GB/s
13.2
10.9
写入速度,GB/s
8.6
8.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2427
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
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