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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Kingston 9905711-002.A00G 4GB
总分
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
总分
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
15.7
16.0
写入速度,GB/s
9.8
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
2371
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM的比较
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
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