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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
总分
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
总分
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
15.7
16.5
写入速度,GB/s
9.8
13.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
3040
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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