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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
差异
规格
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差异
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.3
19.4
写入速度,GB/s
9.1
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
3756
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB RAM的比较
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB RAM的比较
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Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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