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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
12.8
17.2
写入速度,GB/s
8.3
13.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
3425
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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