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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
81
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
81
读取速度,GB/s
12.8
8.5
写入速度,GB/s
8.3
5.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
1651
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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