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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB

总分
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 40
    左右 -43% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.5 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.4 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 18.5
  • 写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 14.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2233 left arrow 3402

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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
内存RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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A-DATA Technology 11137401 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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