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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
比较
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
总分
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
总分
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
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Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
13.3
17.5
写入速度,GB/s
8.6
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3575
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
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