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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
13.8
14.9
写入速度,GB/s
7.8
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
2768
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
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