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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.1
16.8
写入速度,GB/s
7.7
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
3046
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
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