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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
总分
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
40
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
32
读取速度,GB/s
13.2
16.1
写入速度,GB/s
7.8
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2125
2968
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
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