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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
比较
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
总分
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
35
读取速度,GB/s
13.2
15.8
写入速度,GB/s
7.3
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1489
2927
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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