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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.6
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
50
左右 -52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
33
读取速度,GB/s
10.6
10.3
写入速度,GB/s
7.8
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1899
2235
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
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