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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
50
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
36
读取速度,GB/s
10.6
14.4
写入速度,GB/s
7.8
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1899
2489
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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