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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
30
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
12.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
22
读取速度,GB/s
12.5
15.0
写入速度,GB/s
7.8
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1917
2272
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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